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  "title": "Slurry per Lucidatura di Chip in Fosfuro di Indio",
  "kind": "reference",
  "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech",
  "category": "Compounds & slurries",
  "parameters": {
    "Brand / publisher": "GRISH",
    "Content type": "articles",
    "Language": "Italiano"
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  "language": "it",
  "source_url": "https://grish.com/it/indium-phosphide-chip-polishing-slurry/",
  "content_html": "<p>Il fosfuro di indio (InP) è un importante materiale semiconduttore composto III-V, InP ha una struttura della banda di energia con salto diretto, ampia larghezza di banda, i materiali cristallini InP hanno alta velocità di deriva nel campo elettrico, buona conducibilità termica e forte resistenza alle radiazioni, adatto per la fabbricazione di dispositivi e circuiti a microonde ad alta frequenza, alta velocità e bassa potenza. Nel campo delle <a href=\"/records/grish-fiber-optic-737\">comunicazioni in fibra ottica</a>, InP è anche il materiale di comunicazione preferito, e quando applicato a celle solari, ha un'alta percentuale di conversione, migliore resistenza alle radiazioni rispetto ai materiali semiconduttori Si e GaAs, e alta temperatura di funzionamento (675-725 K), molto adatto da utilizzare come materiali per celle fotovoltaiche per satelliti artificiali. Inoltre, InP ha un'alta velocità di migrazione degli elettroni e buone proprietà ottiche e può essere utilizzato come materiale substrato per produrre dispositivi optoelettronici e circuiti integrati optoelettronici.</p>\n\n\n\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-479e1a76700d11bdca610802/fiber-optic-communication.jpg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n\n\n\n<p>Il fosfuro di indio, come substrato semiconduttore, deve passare attraverso i processi di crescita a singolo cristallo, taglio, smusso esterno, macinazione, lucidatura e pulizia. A causa della bassa durezza e della consistenza morbida e fragile del fosfuro di indio, la superficie del wafer è soggetta a strati di danno superficiale /sottosuperficiale durante i processi di seghettatura e macinazione, che richiedono un processo finale di lucidatura per rimuovere i danni superficiali /sottosuperficiali, ridurre la densità di dislocazione e abbassare la rugosità superficiale. La lucidatura è l'ultimo processo di <a href=\"/records/grish-wafer-polishing-everything-you-need-to-know-8174\">elaborazione della superficie del wafer</a> per ridurre la rugosità superficiale e ottenere una superficie liscia senza danni. I metodi di lucidatura comuni includono lucidatura meccanica, lucidatura /planarizzazione chimico-meccanica (CMP), lucidatura magnetorheologica, lucidatura ad emissione elastica, lucidatura a pressione dinamica, lucidatura a galleggiamento e lucidatura a bassa temperatura, ecc. Per il materiale in fosfuro di indio, il metodo CMP è principalmente utilizzato per la lucidatura.</p>\n\n\n\n<p>La rugosità superficiale e l'integrità dei reticoli dei wafer lucidati influenzano direttamente la disposizione atomica degli strati di film sottili, richiedendo un'integrità del reticolo estremamente elevata e una bassa rugosità sulla superficie dei wafer lucidati. Per soddisfare le esigenze delle prestazioni del dispositivo e del processo di epitassia, la rugosità superficiale dei wafer lucidati è generalmente richiesta per essere &lt;0,5 nm. Ciò indica che la tecnologia di lucidatura e pulizia dei wafer di singolo cristallo di fosfuro di indio è ancora in fase confidenziale. Con lo stesso processo di lucidatura, il tasso di lucidatura grezza dei wafer di GaAs può raggiungere (0,7~1,0) μm /min, e la superficie può raggiungere il livello di “nessuna pulizia” dopo la lucidatura fine; mentre il tasso di lucidatura grezza dei wafer di fosfuro di indio è solo (0,10~0,15) μm /min, e la condizione superficiale dopo la lucidatura non può raggiungere il livello dei wafer di GaAs. La condizione superficiale dopo la lucidatura non è all'altezza del livello dei wafer di GaAs lucidati grezzi, e ci sono più graffi. Pertanto, è molto importante ottimizzare il processo di lucidatura dei wafer di singolo cristallo di fosfuro di indio.</p>\n\n\n\n<p>Il precedente processo di lucidatura dei wafer di InP si basa principalmente su 3 slurry di lucidatura: (1) Br2-CH3OH e tipo migliorato; (2) slurry di lucidatura a base di H3PO4-H2O2-SiO2; (3) slurry di lucidatura a base di CH3COOH-NaCIO-SiO2. Ma questi 3 slurry di lucidatura hanno i loro difetti insormontabili.</p>\n\n\n\n<p>Gli slurry di lucidatura Br2-CH3OH e migliorati, anche se Br2-CH3OH può ottenere lucidatura di wafer InP a basso danno e bassa macchia, la sua ripetibilità è molto scarsa, e a causa delle caratteristiche di rapida volatilizzazione e tossicità, può danneggiare gravemente le attrezzature e il personale. Inoltre, questo slurry di lucidatura dovrebbe essere detto come l'uso di lucidatura chimica pura piuttosto che una vera lucidatura chimico-meccanica, che ha portato alla lucidatura della superficie del wafer “a buccia d'arancia”, il che significa che la superficie non è piatta, piena di avvallamenti e protuberanze, fenomeno, al fine di superare questo difetto, le persone utilizzano uno slurry di lucidatura migliorato, ossia Br2-CH3OH-H2O-SiO2, che introduce il ruolo meccanico del SiO2. Tuttavia, si può vedere che la presenza di H<sub>2</sub>O, combinato con l'adsorbimento di Br<sub>2</sub> sulla superficie del wafer dopo la lucidatura, in modo che le due reazioni chimiche sulla superficie lucidatta, i danni superficiali, sono stati ulteriormente confermati.</p>\n\n\n\n<p>Lo slurry di lucidatura a base di H3PO4-H2O2-SiO2, un nuovo slurry di lucidatura, ossia H3PO4-H2O2-SiO2, è stato recentemente sviluppato con successo e messo in uso. Ma anche questo slurry di lucidatura ha alcune carenze, a causa della sua acidità (PH &lt; 7), le particelle nel processo di lucidatura formano gel di silice, che si attacca alla superficie del wafer lucidato, rendendo difficile rimuoverlo anche dopo l'uso di ultrasuoni o pulizia megasonica e altri mezzi avanzati. Si può vedere che questo difetto è determinato dalla sua caratteristica essenziale: il valore di pH è inferiore a 7.</p>\n\n\n\n<p>Uno slurry di lucidatura CH3COOH-NaCIO-SiO2, anche se è stato utilizzato per lucidare i wafer di InP, non è riuscito a far sì che il suo valore di pH fosse superiore a 7, quindi le difficoltà sopra indicate non sono ancora state superate, inoltre, questo slurry di lucidatura è molto sensibile alla temperatura, è difficile da utilizzare ripetutamente. Il rilascio di Cl<sub>2</sub> durante il processo di lucidatura è estremamente dannoso per il tampone di lucidatura, il che riduce notevolmente la durata del tampone.</p>\n\n\n\n<p><a href=\"https://grish.com/products/polishing-slurry/\" rel=\"noopener noreferrer\">Lo slurry di lucidatura Grish</a> ha abbandonato il precedente slurry di lucidatura CMP a base di SiO2 tradizionale, utilizzando allumina come abrasivo, poiché la durezza di Mohs dell'allumina è superiore a quella della silice, quindi è necessario utilizzare anche un effetto chimico più forte dell'ossidante per abbinarlo. In termini di pulizia, l'allumina è diversa dalla sol di silice, non ci sarà uno strato di adsorbimento sulla superficie del chip, quindi ha vantaggi evidenti nella pulizia finale dei chip.</p>\n\n\n\n<p>La lucidatura chimico-meccanica /planarizzazione (CMP), utilizzando l'importanza degli agenti ossidanti nella lucidatura chimico-meccanica, l'obiettivo principale della lucidatura dei wafer è ottenere una superficie piatta di uniformi spessore senza alcun danno meccanico, cavità di corrosione chimica e rendere il processo altamente ripetibile. La lucidatura chimica pura può produrre una superficie a basso danno, ma produce inevitabilmente cavità di corrosione chimica; la lucidatura meccanica pura può ottenere una superficie lucidatura piatta, ma il danno meccanico è estremamente elevato.</p>\n\n\n\n<p>Pertanto, le persone hanno avanzato il concetto di CMP, questo processo di lucidatura combina i ruoli della corrosione chimica e della macinazione meccanica, dovrebbe essere detto che la precisione dei due è la condizione primaria per produrre una superficie lucidatura di alta qualità. Negli slurry di lucidatura chimico-meccanica, la presenza di un ossidante e di un abrasivo è necessaria. Il ruolo di un ossidante è produrre un film ossidato morbido sulla superficie del wafer, che può essere rimosso dall'abrasivo immediatamente mentre viene prodotto. La presenza del film ossidato allenta lo strato superficiale del wafer e riduce notevolmente la forza meccanica necessaria per la rimozione, evitando così danni meccanici maggiori alla superficie.</p>\n\n\n\n<p>Poiché era necessario aumentare il tasso di lucidatura senza compromettere l'effetto della superficie lucidatura, ma la durezza di Mohs dell'allumina è molto più alta di quella della silice, abbiamo scelto una polvere di allumina sferica micronizzata come mezzo abrasivo. Basato su questo requisito, abbiamo utilizzato un ossidante più ossidante e per abbinare l'azione meccanica generata dall'abrasivo all'allumina, è stato inventato un nuovo slurry di lucidatura chimico-meccanica alcalina di InP.</p>\n\n\n\n<p>SEM di allumina sferica:</p>\n\n\n\n<div>\n<div>\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-29ff8ca57334c69ef0db33f8/spherical-alumina-1.png\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n</div>\n\n\n\n<div>\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-aa53748fd87a8ebd4c581951/spherical-alumina1-1.png\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n</div>\n</div>\n\n\n\n\n\n\n\n<div>\n<div>\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-a02daa88ae4f1b4beecec3cd/spherical-alumina2-1.png\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n</div>\n\n\n\n<div>\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-64f323898c5266c90786757e/spherical-alumina3-1.png\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n</div>\n</div>\n\n          \n          <div>\n            <ul>\n              <li>\n                <a href=\"https://www.facebook.com/sharer/sharer.php?u=https://grish.com/it/indium-phosphide-chip-polishing-slurry/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b6aed1b36995754585bf04f3/page_single_news-main_share-fb.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"https://twitter.com/share?url=https://grish.com/it/indium-phosphide-chip-polishing-slurry/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-94fd9956095f45c0bff3c1f5/page_single_news-main_share-tw.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"http://www.linkedin.com/shareArticle?url=https://grish.com/it/indium-phosphide-chip-polishing-slurry/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b20329e5cc53cdce717db7d0/linkedin-g.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n                          </ul>\n          </div>\n        \n\n        ",
  "summary": "Ottenete risultati superiori con il nostro impasto per la lucidatura dei trucioli di fosfuro di indio. Migliorate il vostro processo di produzione dei semiconduttori.",
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  "updated_at": "2026-10-16"
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