{
  "title": "プロセスを最適化し、SiC基板に適した研磨材料を使用する",
  "kind": "reference",
  "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech",
  "category": "Lapping, honing & superfinishing",
  "parameters": {
    "Brand / publisher": "GRISH",
    "Content type": "articles",
    "Language": "日本語"
  },
  "language": "ja",
  "source_url": "https://grish.com/ja/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/",
  "content_html": "<p>シリコンカーバイド（SiC）は、リーディングで最も先進的な第3世代半導体材料です。熱的、機械的、化学的、電気的特性など、優れた特性を持っています。SiCは、高温、高周波、高出力の電子デバイスを作成するために非常に好まれています。さらに、主に窒化ガリウムを利用した青色発光ダイオードの基板材料として理想的です。SiCは、パワーエレクトロニクス、マイクロ波デバイス、LEDオプトエレクトロニクスに広く応用されています。</p>\n\n\n\n<p>材料特性の観点から、シリコンカーバイドは非常に優れています。そのバンドギャップはシリコンの3倍、飽和電子漂流速度はシリコンの2倍、臨界ブレークダウン電界はシリコンの10倍、ひいてはヒ素化ガリウムの5倍です。熱伝導率はサファイアの20倍、ヒ素化ガリウムの10倍です。また、その化学的安定性も非常に良好です。さらに、構造的観点から、サファイアは半導体ではなく絶縁体であり、単側電極としてしか使用できません。シリコンカーバイドは導電性半導体であり、垂直構造で使用できる。シリコンカーバイド基板の熱伝導率はサファイアの10倍以上です。シリコンカーバイド基板を使ったチップ電極はL字型であり、2つの電極はデバイスの表面と底に配置されています。生成された熱は電極を通じて直接排出されることができます。同時に、この基板は電流拡散層を必要としないため、光は電流に影響されません。拡散層の材料は光を吸収し、光抽出効率を向上させます。</p>\n\n\n\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-6b1167aa3b893df2244172bf/third-generation-semiconductor.jpg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n\n\n\n<p>そのモース硬度が9.2から9.3の間で高いため、シリコンカーバイドの微細加工および精密加工は非常に難しいです。この低効率は最終的に生産能力と出力のスケーラビリティを妨げ、大量生産を困難にします。現在、シリコンカーバイドウエハの加工には、特定の厚さに研磨するために、より高いモース硬度とより速い速度を持つダイヤモンドスラリーを通常使用しています。次に、従来のCMP研磨スラリーを利用して、所望の表面状態を達成します。</p>\n\n\n\n<p>しかし、現在のシリコンカーバイド基板の処理プロセスは、長い単面処理時間と複雑なプロセスを必要とし、効率が低く、下流市場のニーズに応えられません。これを考慮し、グリッシュはシリコンカーバイド（SiC）基板の研磨プロセスを最適化し、消耗品を開発しました。</p>\n\n\n\n<p>シリコンカーバイド（SiC）基板研磨プロセス：粗研磨テスト条件およびパラメーター設定:</p>\n\n\n\n<ul>\n<li>研磨対象：4インチ4H SiC基板シート*3枚*4ヘッド（シートの厚さは約470μm）研磨パッド：特殊なポリウレタン粗研磨パッド</li>\n\n\n\n<li>粗研磨液：GRISH複合粗研磨液</li>\n\n\n\n<li>接着方法：ワックスペースト</li>\n</ul>\n\n\n\n<h2>シリコンカーバイド（SiC）基板</h2>\n\n\n\n<p>プロセスは主に2つのステップで構成されています：粗研磨と精密研磨。粗研磨には、GRISH複合粗研磨液が他の消耗品と共に使用されます。同様に、精密研磨には、 <a href=\"/records/grish-cmp-slurry-2306\">CMP研磨スラリー</a> が使用されます。このアイテムは両側を直接研磨でき、粗研磨を約30〜60分行った後、精密研磨が約120分間行われます。特に、粗研磨を完了した後、精密研磨に必要な時間は大幅に短縮されます。</p>\n\n\n\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-96d6e26c51fbefd7f50b2328/Silicon-carbide-SiC-substrates-scaled.jpg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n\n\n\n<h2>シリコンカーバイド（SiC）基板の最適化された研磨プロセスの主な利点</h2>\n\n\n\n<p>最適化されたプロセス条件は主に第二の粗研磨プロセスに集中しており、粗い研磨液（GRISH複合粗研磨液）を粗研磨パッドと共に使用します。このプロセスの主な目的は、表面粗さを小さくし、次の精密研磨プロセス中の圧力を低下させることです。さらに、精密研磨液はシリコンカーバイド材料に特化しており、高い研磨率を誇り、製品の全体的な表面品質を向上させます。したがって、これらの措置を講じることで、シリコンカーバイド基板の生産に関わる全体的な処理ステップを削減し、同時に生産効率を向上させることが可能になります。</p>\n\n\n\n<p>研磨速度データ:</p>\n\n\n\n<figure><table><tbody><tr><td colspan=\"2\">粗い研磨速度</td><td colspan=\"2\">精密研磨速度</td></tr><tr><td>全体</td><td>側面C</td><td>全体</td><td>側面C</td></tr><tr><td>12.23μm/h</td><td>14.57μm/h</td><td>2.02μm/h</td><td>1.89μm/h</td></tr></tbody></table></figure>\n\n\n\n<h2>結論</h2>\n\n\n\n<p>最適化されたプロセスと消耗品がシリコンカーバイド（SiC）基板の処理効率を大幅に向上させました。</p>\n\n          \n          <div>\n            <ul>\n              <li>\n                <a href=\"https://www.facebook.com/sharer/sharer.php?u=https://grish.com/ja/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b6aed1b36995754585bf04f3/page_single_news-main_share-fb.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"https://twitter.com/share?url=https://grish.com/ja/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-94fd9956095f45c0bff3c1f5/page_single_news-main_share-tw.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"http://www.linkedin.com/shareArticle?url=https://grish.com/ja/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b20329e5cc53cdce717db7d0/linkedin-g.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n                          </ul>\n          </div>\n        \n\n        ",
  "summary": "シリコンカーバイド（SiC）は、次世代のパワーデバイスに不可欠な第3世代半導体材料であり、優れた物理特性を持つ反面、加工の難易度が非常に高い素材です。従来の研磨プロセスは時間がかかり非効率的でしたが、これに対応するため、グリッシュ社はSiC基板に特化した研磨材料とプロセスを開発しました。これにより加工時間の短縮と表面品質の向上が実現し、市場ニーズに応える効率的な製造が可能となります。",
  "sections": [],
  "updated_at": "2026-10-16"
}