{
  "title": "Оптимизация процессов и использование соответствующих полировочных материалов для подложек SiC",
  "kind": "reference",
  "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech",
  "category": "Lapping, honing & superfinishing",
  "parameters": {
    "Brand / publisher": "GRISH",
    "Content type": "articles",
    "Language": "Русский"
  },
  "language": "ru",
  "source_url": "https://grish.com/ru/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/",
  "content_html": "<p>Кремнийкарбид (SiC) — это передний и наиболее продвинутый полупроводниковый материал третьего поколения. Он обладает исключительными свойствами, включая тепловые, механические, химические и электрические характеристики. SiC очень популярен для создания электронных устройств высокой температуры, высокой частоты и высокой мощности. Кроме того, он служит идеальным субстратным материалом для светодиодов с синим светом, в основном используя нитрид галлия. SiC находит широкое применение в силовой электронике, микроволновых устройствах и светодиодной оптоэлектронике.</p>\n\n\n\n<p>С точки зрения свойств материала кремнийкарбид очень превосходит. Его ширина запрещенной зоны в 3 раза больше, чем у кремния, его насыщенная скорость дрейфа электронов в 2 раза выше, чем у кремния, его критическое электрическое поле пробоя в 10 раз выше, чем у кремния, и в 5 раз выше, чем у арсенида галлия. Теплопроводность в 20 раз больше, чем у сапфира, и в 10 раз больше, чем у арсенида галлия; и его химическая стабильность очень хороша. Кроме того, с структурной точки зрения сапфир не является полупроводником, а является изолятором, и его можно использовать только как однослойный электроды; кремнийкарбид является проводящим полупроводником, и его можно использовать в вертикальных структурах. Теплопроводность подложки кремнийкарбида более чем в 10 раз выше, чем у сапфира. Чип-электрод, использующий субстрат из кремнийкарбида, имеет L-образную форму. Два электрода распределены на поверхности и дне устройства. Вырабатываемое тепло можно напрямую экспортировать через электроды. В то же время этот субстрат не требует слоя диффузии тока, поэтому свет не будет затеняться током. Материал слоя диффузии поглощает свет, что улучшает эффективность извлечения света.</p>\n\n\n\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-6b1167aa3b893df2244172bf/third-generation-semiconductor.jpg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n\n\n\n<p>Из-за его высокой твердости по Моосу, измеряющей от 9.2 до 9.3, тонкая и точная обработка кремнийкарбида чрезвычайно сложна. Эта низкая эффективность в конечном итоге препятствует масштабируемости производственных возможностей и выхода, что делает массовое производство трудным. В настоящее время обработка кремнийкарбидных пластин обычно включает использование алмазного шлама с более высокой твердостью по Моосу и более быстрыми скоростями для шлифовки до определенной толщины. Затем используется традиционный CMP полировочный шлам для достижения желаемого состояния поверхности.</p>\n\n\n\n<p>Однако текущий процесс обработки подложек кремнийкарбида требует длительного времени односторонней обработки и сложных процессов, что приводит к низкой эффективности и невозможности удовлетворить потребности downstream рынка. Учитывая это, Grish оптимизировал процесс полировки подложек кремнийкарбида (SiC) и разработал расходные материалы.</p>\n\n\n\n<p>Процесс полировки подложек кремнийкарбида (SiC): условия и настройки параметров тестирования грубой полировки:</p>\n\n\n\n<ul>\n<li>Полируемый объект: 4-дюймовая пластина 4H SiC*3 шт*4 головки (толщина пластины около 470μm) Полировочный подушечка: специальная полиуретановая подушечка для грубой полировки</li>\n\n\n\n<li>Жидкость для грубой полировки: композитная грубая полировочная жидкость GRISH</li>\n\n\n\n<li>Метод наклеивания: восковая паста</li>\n</ul>\n\n\n\n<h2>Подложки кремнийкарбида (SiC)</h2>\n\n\n\n<p>Процесс в основном состоит из двух этапов: грубой полировки и тонкой полировки. Для грубой полировки используется композитная грубая полировочная жидкость GRISH совместно с другими расходными материалами. Аналогично для тонкой полировки, <a href=\"/records/grish-cmp-slurry-2306\">CMP полировочный шлам</a> используется. Элемент можно полировать непосредственно с обеих сторон, начиная с грубой полировки примерно на 30-60 минут, а затем тонкой полировки в течение около 120 минут. Примечательно, что после завершения грубой полировки время, необходимое для тонкой полировки, значительно сокращается.</p>\n\n\n\n<figure><img src=\"/files/grish-asset-96d6e26c51fbefd7f50b2328/Silicon-carbide-SiC-substrates-scaled.jpg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></figure>\n\n\n\n<h2>Ключевые преимущества оптимизированного процесса полировки для подложек кремнийкарбида (SiC)</h2>\n\n\n\n<p>Оптимизированные условия процесса в основном сосредоточены на втором процессе грубой полировки, который включает использование грубой полировочной жидкости (композитная грубая полировочная жидкость GRISH) в сочетании с подушечкой для грубой полировки, обеспечивающей более быструю скорость полировки. Основная цель этого процесса — достичь меньшей шероховатости поверхности, что в конечном итоге снижает давление, оказываемое в процессе последующей тонкой полировки. Кроме того, жидкость для тонкой полировки специально разработана для материалов кремнийкарбида и обладает высокой скоростью полировки и улучшает общее качество поверхности продукта. Следовательно, реализация этих мер позволяет сократить общее количество шагов, связанных с производством подложек кремнийкарбида, при этом значительно улучшая эффективность производства.</p>\n\n\n\n<p>Данные о скорости полировки:</p>\n\n\n\n<figure><table><tbody><tr><td colspan=\"2\">Скорость грубой полировки</td><td colspan=\"2\">Скорость тонкой полировки</td></tr><tr><td>по всем сторонам</td><td>Сторона C</td><td>по всем сторонам</td><td>Сторона C</td></tr><tr><td>12.23μm/h</td><td>14.57μm/h</td><td>2.02μm/h</td><td>1.89μm/h</td></tr></tbody></table></figure>\n\n\n\n<h2>В заключение</h2>\n\n\n\n<p>Оптимизированный процесс и расходные материалы значительно улучшили эффективность обработки подложек кремнийкарбида (SiC).</p>\n\n          \n          <div>\n            <ul>\n              <li>\n                <a href=\"https://www.facebook.com/sharer/sharer.php?u=https://grish.com/ru/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b6aed1b36995754585bf04f3/page_single_news-main_share-fb.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"https://twitter.com/share?url=https://grish.com/ru/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-94fd9956095f45c0bff3c1f5/page_single_news-main_share-tw.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"http://www.linkedin.com/shareArticle?url=https://grish.com/ru/optimize-processes-and-use-appropriate-polishing-materials-for-sic-substrates/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b20329e5cc53cdce717db7d0/linkedin-g.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n                          </ul>\n          </div>\n        \n\n        ",
  "summary": "Ознакомьтесь с оптимизированным процессом компании Grish для эффективного производства подложек из карбида кремния (SiC), улучшающим качество поверхности и упрощающим процесс обработки.",
  "sections": [],
  "updated_at": "2026-10-16"
}