{
  "title": "Обзор шлифования и полировки полупроводниковых материалов",
  "kind": "reference",
  "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech",
  "category": "Lapping, honing & superfinishing",
  "parameters": {
    "Brand / publisher": "GRISH",
    "Content type": "articles",
    "Language": "Русский"
  },
  "language": "ru",
  "source_url": "https://grish.com/ru/semiconductor-materials-and-processing-guide/",
  "content_html": "<div>\n<h2><span>Разработка полупроводников</span></h2>\n<p><span>Полупроводники относятся к материалам, ч conducоснование логических устройств. Первое поколение полупроводниковых материалов вызвало быстрый рост области микроэлектроники с интегральными схемами (ИС) в качестве ядра. Однако из-за узкой запрещённой зоны, низкой подвижности электронов и низкого предела пробоя кремниевых материалов применение Si в области оптоэлектроники и высокочастотных и высоковольтных устройств подвержено многим ограничениям. Тем не менее, первое поколение полупроводников имеет высокую технологическую зрелость и преимущества по стоимости и по-прежнему широко используется в области электронной информации, новой энергии и кремниевых фотоэлектрических технологий.iviоснование логических устройств. Первое поколение полупроводниковых материалов вызвало быстрый рост области микроэлектроники с интегральными схемами (ИС) в качестве ядра. Однако из-за узкой запрещённой зоны, низкой подвижности электронов и низкого предела пробоя кремниевых материалов применение Si в области оптоэлектроники и высокочастотных и высоковольтных устройств подвержено многим ограничениям. Тем не менее, первое поколение полупроводников имеет высокую технологическую зрелость и преимущества по стоимости и по-прежнему широко используется в области электронной информации, новой энергии и кремниевых фотоэлектрических технологий.y при комнатной температуре находится между проводниками и изоляторами. Полупроводники обычно делятся на две категории: элементные полупроводники и соединительные полупроводники, то есть элементные полупроводники группы 4 периодической таблицы и соединения групп 2 и 6. Полупроводники также можно разделить на соединительные полупроводники с двумя элементами и с тремя элементами в зависимости от количества составных элементов, т.е. полупроводники первого, второго и третьего поколений в обычном понимании.</span></p>\n<h3><span>Полупроводник с одним элементом / полупроводник первого поколения</span></h3>\n<p><span>Полупроводники </span><span>состоят из одного элемента. Примеры этого материала включают бор, германий, кремний, серый олово, мышьяк, селен, теллур и т.д. Среди них кремний (Si) и германий (Ge) являются представителями, особенно кремний, который составляет </span><span>основание логических устройств. Первое поколение полупроводниковых материалов вызвало быстрый рост области микроэлектроники с интегральными схемами (ИС) в качестве ядра. Однако из-за узкой запрещённой зоны, низкой подвижности электронов и низкого предела пробоя кремниевых материалов применение Si в области оптоэлектроники и высокочастотных и высоковольтных устройств подвержено многим ограничениям. Тем не менее, первое поколение полупроводников имеет высокую технологическую зрелость и преимущества по стоимости и по-прежнему широко используется в области электронной информации, новой энергии и кремниевых фотоэлектрических технологий.</span></p>\n<p><img src=\"/files/grish-asset-525f77b6c0b5e4dfd61f507a/f986d324f25b746285b4b3eda8eed0a9_semiconductor-material-grinding-and-polishing-overview-attachment_1-0.jpeg\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></p>\n<p><strong><span>Соединения полупроводников второго поколения с двумя элементами</span></strong></p>\n<p><span>Полупроводники с двумя элементами групп II, VI III или V относятся к соединениям, образованным из двух определенных атомных соотношений и обладающим определенными полупроводниковыми свойствами, такими как ширина запрещенной зоны и энергия структуры. Второе поколение полупроводниковых материалов представляют собой соединительные полупроводники; такие как арсенид галлия (GaA), антиимидид индия (InSb); GaAAl, GaAP; и некоторые полупроводники твердого раствора, такие как Ge-Si, GaA-GaP; стеклянные полупроводники (также известные как аморфные полупроводники), такие как аморфный кремний, аморфные оксидные полупроводники; органические полупроводники, такие как фталоцианин, медный фталоцианин, полиакрилонитрил и т.д.</span></p>\n<p><span>Второе поколение полупроводниковых материалов в основном используется для создания высокоскоростных, высокочастотных, высоковольтных и светодиодных электронных устройств. Они являются превосходными материалами для создания высокопроизводительных микроволновых</span><span>устройств, миллиметровых устройств и светодиодов. С 1990-х годов, из-за появления информационной магистрали и Интернета, они также широко используются в спутниковой связи, мобильной связи,</span><span>оптической связи, GPS-навигации и других областях. Например, по сравнению с полупроводниками первого поколения, арсенид галлия (GaA) может использоваться в области оптоэлектроники, особенно в инфракрасных лазерах и светодиодах высокой яркости. Например, по сравнению с полупроводниками первого поколения, арсенид галлия обладает характеристиками высокой частоты, радиационной стойкости и термостойкости. Поэтому он широко используется в основных коммерческих беспроводных коммуникациях, оптической связи, а также в приложениях в области национальной обороны и военном деле.</span></p>\n<p><span>С начала XXI века быстро развиваются новые электронные технологии, такие как смартфоны, автомобили с новой энергией и роботы. В то же время глобальный энергетический и экологический кризис стал очевидным. Использование энергии стремится к низкому энергопотреблению и точному управлению. Традиционные полупроводниковые материалы первого и второго поколений имеют</span></p>\n<h3><span>ограничения производительности, которые больше не могут удовлетворять потребности технологии, что требует появления новых материалов для их замены.</span></h3>\n<p><span>Соединители полупроводников третьего поколения</span></p>\n<p><span>Трехэлементные соединительные полупроводниковые материалы относятся к соединениям, образованным из трех определенных атомных соотношений и обладающим полупроводниковыми свойствами, такими как определенная ширина запрещенной зоны и структура энергетического уровня. США разработали первые материалы и устройства на основе нитрида галлия еще в 1993 году, а самая ранняя исследовательская группа Китая, Институт полупроводников Академии наук Китая, также начала исследования в этой области в 1995 году и разработала HEMT в 2000 году. Структурные материалы. Третье поколение полупроводниковых материалов в основном включает полупроводниковые материалы с широкой запрещенной зоной (Eg &gt;&gt; 2.3eV), представленные карбидом кремния (SiC), нитридом галлия (GaN), оксидом цинка (ZnO), алмазом и нитридом алюминия (AlN).</span><span> По сравнению с полупроводниковыми материалами первого и второго поколения полупроводниковые материалы третьего поколения имеют более широкую запрещенную зону (&gt;2.2eV), более высокий предел пробоя, более высокую теплопроводность, более высокую скорость насыщения электронов и более высокую радиационную стойкость, что делает их более подходящими для создания высокотемпературных, высокочастотных, мощных и радиационно-стойких устройств. Их можно широко использовать в областях высокой напряженности, высокой частоты, высокой температуры и высокой надежности, включая радиочастотные коммуникации, радары, спутники, управление энергией, электронные устройства для автомобилей, электронные устройства для промышленности и др. Под влиянием четкого спроса на 5G связи, автомобили с новой энергией, фотоэлектрические инверторы и другие приложения ведущие компании в этой области начали использовать технологии полупроводников третьего поколения, что еще больше повысило доверие к отрасли и твердое обязательство в отношении технологий полупроводников третьего поколения. Инвестиции в маршруты технологии полупроводников.</span></p>\n<p><span>Среди полупроводников третьего поколения, по сравнению с SiC и GaN, первый разработан раньше GaN и обладает более высокой технологической зрелостью; большое различие между ними заключается в теплопроводности, что делает SiC более подходящим для высокомощных приложений, занимая доминирующее положение; в то же время, поскольку GaN имеет более высокую скорость электронов, он может иметь более высокие скорости переключения, чем SiC или Si. В высокочастотных приложениях GaN имеет преимущества. В настоящее время технологии подложек на основе карбида кремния относительно просты. В Китае достигнуто массовое производство 4-дюймовых подложек, и также завершены исследования и разработки 6-дюймовых подложек. Технологии подготовки нитрида галлия (GaN) все еще нуждаются в совершенствовании. В настоящее время отечественные компании могут производить 2-дюймовые подложки небольшими партиями, имеют возможности производства 4-дюймовых подложек и разработали образцы 6-дюймовых подложек.</span></p>\n<p><img src=\"/files/grish-asset-884eefcbccb9c24808a14dc8/c356098b64e38de5beb101ac10e103d1_semiconductor-material-grinding-and-polishing-overview-attachment_1-1.jpeg\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></p>\n<h2><span>Обработка полупроводниковых материалов</span></h2>\n<p><span>Абразивные обработки, такие как шлифование и полирование, необходимы для производства полупроводниковых чипов. Тем не менее, шлифование может ухудшить целостность поверхности чипа. Поэтому согласованность, однородность и шероховатость поверхности очень важны для производства чипов. Beijing </span><span>GRISH</span> <span>Hiоснование логических устройств. Первое поколение полупроводниковых материалов вызвало быстрый рост области микроэлектроники с интегральными схемами (ИС) в качестве ядра. Однако из-за узкой запрещённой зоны, низкой подвижности электронов и низкого предела пробоя кремниевых материалов применение Si в области оптоэлектроники и высокочастотных и высоковольтных устройств подвержено многим ограничениям. Тем не менее, первое поколение полупроводников имеет высокую технологическую зрелость и преимущества по стоимости и по-прежнему широко используется в области электронной информации, новой энергии и кремниевых фотоэлектрических технологий.ech </span><span>Технология Co., Lоснование логических устройств. Первое поколение полупроводниковых материалов вызвало быстрый рост области микроэлектроники с интегральными схемами (ИС) в качестве ядра. Однако из-за узкой запрещённой зоны, низкой подвижности электронов и низкого предела пробоя кремниевых материалов применение Si в области оптоэлектроники и высокочастотных и высоковольтных устройств подвержено многим ограничениям. Тем не менее, первое поколение полупроводников имеет высокую технологическую зрелость и преимущества по стоимости и по-прежнему широко используется в области электронной информации, новой энергии и кремниевых фотоэлектрических технологий.d. (в дальнейшем - \"GRISH\") является китайско-японским совместным предприятием, специализирующимся на исследованиях, разработках, производстве и эксплуатации материалов для ультраточной шлифовки и полирования, технологических процессов шлифовки и сопутствующего оборудования. Оно имеет разные требования для трёх поколений полупроводников. Решение шлифовки и полировки идеально решает проблемы шлифовки и полировки полупроводников, существующие на рынке.</span><span>GRISH</span></p>\n<p><span>Первое поколение полупроводниковых материалов представлено кремниевыми пластинами и германиевыми пластинами. Для шлифования и полирования этих двух материалов </span><span>GRISH</span><span> в основном включает следующие продукты: серия шлифовальных шламов для соединительных полупроводников, шлам для CMP и соответствующие шлифовальные подкладки и мелкие полировочные подкладки и т.д.</span></p>\n<p><span>Вторые</span><span>поколение полупроводниковых материалов представлено индиевым фосфидом и арсенидом галлия. Для процесса обратного шлифования этих двух материалов </span><span>GRISH</span><span> в основном включает следующие продукты: шлам для полировки соединительных полупроводников и шлам для CMP и соответствующие мелкие полировочные подкладки. </span><span>GRISH</span><span>Полировочные расходники имеют значительные характеристики, такие как высокая эффективность полировки, хорошее состояние поверхности (Ra, TTV, LTV) и высокая выходная доля. Улучшая эффект полировки, они могут эффективно снизить затраты и полностью заменить международные известные бренды. В настоящее время это было признано и закуплено в больших объемах эталонными клиентами в отрасли, что привело к большим экономическим выгодам и доле на рынке.</span></p>\n<p><span>Третье поколение полупроводниковых материалов представлено карбидом кремния и нитридом галлия. Для шлифования и полировки этих двух материалов </span><span>GRISH</span><span> можно предоставить полный набор продуктов и общие решения, и можно предоставить расходные материалы для грубого шлифования соединительных полупроводников клиентам. Жидкость, <a href=\"https://grish.com/products/lapping-film/\" rel=\"noopener noreferrer\">мягкая шлифовальная жидкость,</a>грубая полировочная жидкость и <a href=\"/records/grish-cmp-slurry-2306\">CMP полировочная жидкость</a>; мы можем предоставить продукты для уменьшения толщины клиентам для обратного шлифования эпитаксиальных чипов, а также соответствующие грубые полировочные подкладки и мелкие полировочные подкладки. Это эффективно снижает уровень царапин на обрабатываемых пластинах. Уровень готовности готовой продукции достигает 95% или более. Слой повреждения составляет менее 5 мкм. Поверхность гладкая и чистая. Эффективность шлифовки и полировки может быть увеличена в 2-3 раза. Расход потребляемых материалов снижается на 30-40% по сравнению с традиционными процессами; по сравнению с известными международными брендами, он имеет явные преимущества по соотношению цена/качество! (Данные получены из </span><span>GRISH</span><span> Лаборатории).</span></p>\n<p><img src=\"/files/grish-asset-17a624a4e6e6393d7a01dd68/c9d55107246470f945ee7810b2b7a782_semiconductor-material-grinding-and-polishing-overview-attachment_1-2.webp\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\"></p>\n<p><span>Для прецизионной шлифовки и полировки подложек карбида кремния традиционный процесс шлифования и полировки требует четырех этапов: двойное шлифование, </span><span> точное шлифование, </span><span> грубо полирование, </span><span> мелкое полирование. Общее время шлифования относительно долгое, более 6,5 часов. С новыми грубыми полировочными жидкостями и мелкими полировочными жидкостями, производимыми </span><span>GRISH</span><span>, требуется только три этапа процесса шлифования, то есть после завершения двойного шлифования выполняются грубое и мелкое полирование непосредственно, и общее время шлифования сокращается до менее 3,5 часов. Эффективность увеличилась почти на 50%, а качество обработки поверхности продукта также было улучшено.</span></p>\n</div>\n\n          \n          <div>\n            <ul>\n              <li>\n                <a href=\"https://www.facebook.com/sharer/sharer.php?u=https://grish.com/ru/semiconductor-materials-and-processing-guide/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b6aed1b36995754585bf04f3/page_single_news-main_share-fb.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"https://twitter.com/share?url=https://grish.com/ru/semiconductor-materials-and-processing-guide/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-94fd9956095f45c0bff3c1f5/page_single_news-main_share-tw.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n\n              <li>\n                <a href=\"http://www.linkedin.com/shareArticle?url=https://grish.com/ru/semiconductor-materials-and-processing-guide/\" rel=\"noopener noreferrer\">\n                  <img src=\"/files/grish-asset-b20329e5cc53cdce717db7d0/linkedin-g.svg\" alt=\"\" loading=\"lazy\" decoding=\"async\">\n                </a>\n              </li>\n                          </ul>\n          </div>\n        \n\n        ",
  "summary": "Изучение эволюции полупроводниковых материалов и последних достижений в области технологий шлифовки и полировки.",
  "sections": [],
  "updated_at": "2026-10-16"
}