{ "title": "Эра 5G пробуждает InP/GaAs, старые материалы омолаживают «основные» машины", "kind": "reference", "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech", "category": "Lapping, honing & superfinishing", "parameters": { "Brand / publisher": "GRISH", "Content type": "articles", "Language": "Русский" }, "language": "ru", "source_url": "https://grish.com/ru/the-5g-era-awakens-inp-gaas-and-old-materials-rejuvenate-core-machines-2/", "content_html": "

Значение арсенида галлия (GaAs) и фосфида индия (InP) в полупроводниковой индустрии

\n\n\n\n

Соединения полупроводниковых материалов арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP) являются основными материалами для микроэлектроники и оптоэлектроники. Как представитель полупроводниковых материалов второго поколения, фосфид индия (InP) обладает высокой эффективностью электрооптического преобразования, высокой подвижностью электронов, высокой рабочей температурой и сильной радиационной стойкостью. Он широко используется в таких областях, как оптические коммуникации, высокочастотные миллиметровые волны, оптоэлектронные интегрированные схемы и солнечные элементы для космоса. Согласно расчетам Yole, глобальный спрос на 2-дюймовые подложки InP в 2021 году составит примерно 4 миллиона штук, а спрос на 4-дюймовые подложки InP составит примерно 1,05 миллиона штук. К 2024 году объем рынка InP достигнет 172 миллионов долларов США с составным годовым темпом роста 14%.

\n\n\n\n

InP является важным полупроводниковым материалом для лазерных трансиверов и находится в верхней части производственной цепочки; лазеры и приемники являются ключевыми компонентами оптических модулей, которые могут преобразовывать фотоэлектрические сигналы и находятся в средней части производственной цепочки; производители облачных вычислений, представленные Amazon и Microsoft, являются основными компонентами оптической коммуникационной индустрии. Применение расположено в нижней части производственной цепочки. Оптическая коммуникационная индустрия встречает стремительное развитие в эпоху 5G. Изменения в сетевой структуре базовых станций 5G увеличили спрос на оптические модули. Лазеры и датчики являются ключевыми оптоэлектронными компонентами оптических модулей. Ожидается увеличение производственных мощностей, что дополнительно ускорит рост спроса на InP, ключевой полупроводниковый материал для оптических коммуникаций.

\n\n\n\n

Высокочастотные и высокоскоростные характеристики сетей 5G требуют, чтобы компоненты переднего конца радиочастот имели лучшие характеристики на высоких частотах и высокой мощности, что предъявляет более высокие требования к физическим свойствам, таким как подвижность электронов и рабочая температура полупроводниковых материалов. Приемники сигналов и усилители, произведенные с использованием InP, могут работать на крайне высоких частотах выше 100 ГГц, имеют широкую полосу пропускания, меньше подвержены внешним воздействиям и обладают высокой стабильностью. Поэтому InP станет ключевым полупроводниковым материалом для устройств радиочастоты переднего края в терминальном оборудовании и оборудовании базовых станций в эпоху 5G, открывая большую рыночную нишу.

\n\n\n\n
\"\"
\n\n\n\n

Арсенид галлия является самым важным и широко используемым полупроводниковым материалом среди соединительных полупроводников. Он также является наиболее зрелым исследуемым и производимым полупроводниковым материалом на данный момент. Поскольку арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов (в 5-6 раз выше, чем у кремния), большой запрещенной зоной (1,43 эВ, кремний - 1,1 эВ) и непосредственной запрещенной зоной, легко создавать полумистительные материалы и внутренние носители. Низкопоточная концентрация и хорошие фотоэлектрические свойства. Устройства, изготовленные из арсенида галлия, обладают хорошей частотной характеристикой, высокой скоростью и высокой рабочей температурой, и могут удовлетворить потребности интегрированной оптоэлектроники. Мы можем использовать полупроводниковые материалы на основе арсенида галлия для создания микроволновых устройств, которые играют ключевую роль в передаче данных со спутников, мобильной связи, глобальной навигации GPS и других областях.

\n\n\n\n

Важной характеристикой полупроводникового материала арсенида галлия являются его оптоэлектронные свойства. Поскольку он имеет прямую запрещенную зону (путем поглощения или высвобождения фотонной энергии электроны напрямую прыгают из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к более высокой световой эффективности) и широкую запрещенную зону, его светоизлучающая эффективность выше, чем у полупроводниковых материалов, таких как кремний-германий. Он может использоваться не только для производства светодиодов и фотодетекторов, но и полупроводниковых лазеров, которые широко используются в оптических коммуникациях и других областях. Кроме того, полупроводниковые материалы на основе арсенида галлия также обладают такими свойствами, как высокая термостойкость и низкая мощность, и широко используются в области спутниковой связи. В настоящее время это самый важный оптоэлектронный материал и самый важный микроэлектронный материал после кремния. Он подходит для производства высокочастотных и высокоскоростных устройств и схем.

\n\n\n\n
\"\"
\n\n\n\n

Промывочная жидкость для соединительных полупроводников, продвигаемая Guorui Sheng, в основном предназначена для обратной полировки чипов фосфида индия и арсенида галлия. Эта полировочная жидкость имеет значительные характеристики, такие как высокая скорость полировки, хорошее состояние поверхности (Ra, TTV, LTV) и высокая отдача. Она может эффективно снизить затраты при одновременном улучшении эффекта полировки.

\n\n \n
\n \n
\n \n\n ", "summary": "Арсенид галлия (GaAs) и фосфид индия (InP) - важнейшие полупроводниковые материалы, широко используемые в высокочастотных, оптоэлектронных и 5G-приложениях, стимулирующие прогресс в области оптической связи и микроэлектроники.", "sections": [], "updated_at": "2026-10-16" }