{ "title": "Эпоха 5G пробуждает InP/GaAs, и старые материалы обновляют \"ядровые\" машины", "kind": "reference", "company": "GRISH / Beijing Grish Hitech", "category": "Lapping, honing & superfinishing", "parameters": { "Brand / publisher": "GRISH", "Content type": "articles", "Language": "Русский" }, "language": "ru", "source_url": "https://grish.com/ru/the-5g-era-awakens-inp-gaas-and-old-materials-rejuvenate-core-machines/", "content_html": "

Важность арсенидGallium (GaAs) и индиумфосфид (InP) в полупроводниковой промышленности

\n\n\n\n

Соединенные полупроводниковые материалы, арсенид галлия (GaAs) и индиумфосфид (InP), являются базовыми материалами для микроэлектроники и оптоэлектроники. В качестве представителя полупроводниковых материалов второго поколения индиумфосфид (InP) обладает высокой эффективностью электролюминесценции и высокой подвижностью электронов, а также высокой рабочей температурой и сильной радиационной устойчивостью, он широко используется в таких областях, как оптическая связь, высокочастотные миллиметровые волны, оптоэлектронные интегральные схемы и солнечные ячейки для космоса. По расчетам Yole, глобальный спрос на 2-дюймовые подложки InP в 2021 году составит около 4 миллионов штук, а спрос на 4-дюймовые подложки InP составит примерно 1,05 миллиона штук. К 2024 году объем рынка InP составит 172 миллиона долларов США, с совокупным годовым темпом роста 14%.

\n\n\n\n
\"\"
\n\n\n\n

InP является важным полупроводниковым материалом для лазерных транссиверов и находится на верхнем уровне промышленной цепочки; лазеры и приемники являются основными компонентами оптических модулей, которые могут преобразовывать фотонные сигналы и находятся в середине промышленной цепи; производители облачных вычислений, такие как Amazon и Microsoft, являются основными компонентами применения в отрасли оптической связи, находящейся на нижнем уровне промышленной цепи. Отрасль оптической связи вступает в период быстрого развития в эпоху 5G. Изменения в сетевой структуре базовых станций 5G увеличили спрос на оптические модули. Лазеры и детекторы являются ключевыми оптоэлектронными компонентами оптических модулей. Ожидается, что производственные мощности увеличатся, что приведет к дальнейшему росту спроса на InP, основной полупроводниковый материал для оптических коммуникаций.

\n\n\n\n

Высокочастотные и высокоскоростные характеристики сетей 5G требуют от фронтальных радиочастотных компонентов лучшей производительности на высоких частотах и мощностях, что создает более высокие требования к физическим свойствам, таким как подвижность электронов и рабочая температура полупроводниковых материалов. Приемники сигналов и усилители, изготовленные с использованием InP, могут работать на крайне высоких частотах выше 100 ГГц, имеют широкий диапазон частот, меньше подвержены воздействию внешних факторов и обладают высокой стабильностью. Таким образом, InP станет основным полупроводниковым материалом для фронтальных радиочастотных устройств в терминальном оборудовании и оборудовании базовых станций в эпоху 5G, открывая более широкий рыночный потенциал.

\n\n\n\n
\"\"
\n\n\n\n

Арсенид галлия является наиболее важным и широко используемым полупроводниковым материалом среди соединительных полупроводников. Это также наиболее изученный и производимый в настоящее время соединенный полупроводниковый материал. Поскольку арсенид галлия обладает высокой подвижностью электронов (в 5-6 раз выше, чем у кремния), широким запрещенным слоем (он составляет 1,43 эВ, в то время как у кремния — 1,1 эВ) и прямым запрещенным слоем, его легко использовать для создания полупроводниковых изоляторов и материалов с собственными носителями. Низкая концентрация потока и хорошие оптоэлектронные свойства. Устройства, изготовленные из материалов арсенида галлия, имеют хорошую частотную характеристику, быструю скорость и высокую рабочую температуру, и могут удовлетворить потребности интегрированной оптоэлектроники. Мы можем использовать полупроводниковые материалы арсенида галлия для приготовления микроволновых устройств, которые играют ключевую роль в передаче данных со спутников, мобильной связи, глобального导航ного GPS и других областях.

\n\n\n\n

Важной характеристикой полупроводникового материала арсенида галлия являются его оптоэлектронные свойства. Поскольку он имеет прямой запрещенный слой (путем поглощения или высвобождения фотонной энергии электроны непосредственно перескакивают из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к более высокой световой эффективности) и широкий запрещенный слой, его эффективность излучения света выше, чем у полупроводниковых материалов, таких как кремний и германий. Он может использоваться не только для создания светодиодов и фотодетекторов, но и полупроводниковых лазеров, которые широко используются в оптической связи и других областях. Кроме того, полупроводниковые материалы арсенида галлия также обладают такими свойствами, как высокая термостойкость и низкая мощность, и они широко используются в области спутниковой связи. В настоящее время это самый важный оптоэлектронный материал и самый важный микроэлектронный материал после кремниевого материала. Он подходит для производства высокочастотных и высокоскоростных устройств и цепей.

\n\n\n\n

Полировочная жидкость для соединительных полупроводников, пропагандируемая Guorui Sheng, в основном предназначена для полировки задней стороны чипов индиумфосфида и арсенида галлия. Эта полировочная жидкость обладает значительными преимуществами, такими как высокая скорость полировки, хорошее состояние поверхности (Ra, TTV, LTV) и высокая выходная способность. Она может эффективно снизить затраты, одновременно улучшая эффект полировки.

\n\n \n
\n \n
\n \n\n ", "summary": "Важность арсенидGallium (GaAs) и индиумфосфид (InP) в полупроводниковой промышленности Соединенные полупроводниковые материалы, арсенид галлия (GaAs) и индиумфосфид (InP), являются базовыми материалами для микроэлектроники и оптоэлектроники. В качестве представителя полупроводниковых материалов второго поколения индиумфосфид (InP) обладает высокой ", "sections": [], "updated_at": "2026-10-16" }