THE GLOBAL POLISHING & ABRASIVES DIRECTORYExplore database coverage ↗
POLISHX中文
POLISHX/Boues CMP haute efficacité
PRODUCT INFORMATION

Boues CMP haute efficacité

La boue de polissage CMP haute efficacité GRlSH a un pH acide. Lors de son utilisation, elle est plus stable et ne changera pas significativement, maintenant un taux de polissage élevé et stable. Ce produit combine le polissage brut et fin en un seul processus, réduisant considérablement les coûts de traitement et améliorant l'efficacité.

Technical specifications

Manufacturer / publisherGRISH / Beijing Grish Hitech
Brand / publisherGRISH
Content typeproducts
LanguageFrançais
CategoryCompounds & slurries
Updated2026-10-16
GRISH published content
Source: https://grish.com/fr/product/high-efficiency-cmp-slurry/ · Original publication: 2025-01-21. Manufacturer claims and terminology are reproduced as source material.Explore Products & equipment ↗
Boue de polissage

Boues CMP haute efficacité

La boue de polissage CMP haute efficacité GRlSH a un pH acide. Lors de son utilisation, elle est plus stable et ne changera pas significativement, maintenant un taux de polissage élevé et stable. Ce produit combine le polissage brut et fin en un seul processus, réduisant considérablement les coûts de traitement et améliorant l'efficacité.
  • Logistique rapide et sûre

  • Obtenir des échantillons gratuitement

Take a Closer Look

The acidic pH value is stable, maintaininga high and stable polishing rate.
Combines rough and fine polishing into a single process, greatly reducing process-ing costs and improving processingefficiency.

High efficiency CMP Slurry

Test data

image

Microscope Photo

image

Semi-insulated 500X

image2

Conductive 500X

Test Conditions and Parameter Settings

High efficiency CMP Slurry
  • Polishing object: 6-inch SiC substrate*3 pcs*2 Head
  • Polishing pad: Suba 600
  • Polishing slurry: SC-O80K (Grish)
  • Pasting method: wax paste
  • Pressure: 120Kg (220g/cm²)
  • Speed: lower 66rpm, upper 60rpm
  • Circulation barrel: 10L
  • Chiller temperature: 20℃
  • Polishing time: 4H

Conclusion

The total time of traditional rough polishing and fine polishing is 6-9 hours, and high-efficiency CMP can be used for 2-3 hours to meet polishing requirements.
After polishing with high-efficiency CMP, the Ra values that can be achieved on the carbon and silicon surfaces of silicon carbide are: Si: 0.115nm C: 0.127nm.

Spécifications

  • Spécifications
    Paramètres Contenu Instrument de test
    Taille de grain (nm) 70-90 Analyseur de particules laser
    Apparence des particules Sphérique SEM/TEM
    pH 3-4 pH mètre
    Viscosité (cst) Viscomètre
    Concentration (%) 5-10% Hydromètre
    Emballage 25kg/5kg -
    Remarque : Les personnalisations sont disponibles sur demande. - -

Related products & technical information