THE GLOBAL POLISHING & ABRASIVES DIRECTORY查看数据库覆盖情况 ↗
POLISHXEN
POLISHX/Суспензия CMP высокой эффективности
PRODUCT INFORMATION

Суспензия CMP высокой эффективности

Полировальная суспензия GRlSH высокой эффективности CMP имеет кислотный уровень pH. При использовании она более стабильна и не изменяется значительно, поддерживая высокую и стабильную скорость полировки. Этот продукт сочетает грубую и тонкую полировку в одном процессе, значительно снижая затраты на обработку и повышая эффективность обработки.

Technical specifications

Manufacturer / publisherGRISH / Beijing Grish Hitech
Brand / publisherGRISH
Content typeproducts
LanguageРусский
CategoryCompounds & slurries
Updated2026-10-16
GRISH published content
Source: https://grish.com/ru/product/high-efficiency-cmp-slurry/ · Original publication: 2025-01-21. Manufacturer claims and terminology are reproduced as source material.Explore Products & equipment ↗
Полировочная суспензия

Суспензия CMP высокой эффективности

Полировальная суспензия GRlSH высокой эффективности CMP имеет кислотный уровень pH. При использовании она более стабильна и не изменяется значительно, поддерживая высокую и стабильную скорость полировки. Этот продукт сочетает грубую и тонкую полировку в одном процессе, значительно снижая затраты на обработку и повышая эффективность обработки.
  • Быстрая и безопасная логистика

  • Получите образцы бесплатно

Take a Closer Look

The acidic pH value is stable, maintaininga high and stable polishing rate.
Combines rough and fine polishing into a single process, greatly reducing process-ing costs and improving processingefficiency.

High efficiency CMP Slurry

Test data

image

Microscope Photo

image

Semi-insulated 500X

image2

Conductive 500X

Test Conditions and Parameter Settings

High efficiency CMP Slurry
  • Polishing object: 6-inch SiC substrate*3 pcs*2 Head
  • Polishing pad: Suba 600
  • Polishing slurry: SC-O80K (Grish)
  • Pasting method: wax paste
  • Pressure: 120Kg (220g/cm²)
  • Speed: lower 66rpm, upper 60rpm
  • Circulation barrel: 10L
  • Chiller temperature: 20℃
  • Polishing time: 4H

Conclusion

The total time of traditional rough polishing and fine polishing is 6-9 hours, and high-efficiency CMP can be used for 2-3 hours to meet polishing requirements.
After polishing with high-efficiency CMP, the Ra values that can be achieved on the carbon and silicon surfaces of silicon carbide are: Si: 0.115nm C: 0.127nm.

Технические характеристики

  • Технические характеристики
    Параметры Содержание Испытательное оборудование
    Размер зерна (нм) 70-90 Лазерный анализатор частиц
    Внешний вид частиц Сферические SEM/TEM
    pH 3-4 pH-метр
    Вязкость(cst) Вискозиметр
    Концентрация (%) 5-10% Гидрометр
    Упаковка 25кг/5кг -
    Примечание: Настройка доступна по запросу. - -

Related products & technical information