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POLISHX/Lodo CMP de alta eficiencia
PRODUCT INFORMATION

Lodo CMP de alta eficiencia

El lodo de pulido CMP de alta eficiencia de GRlSH tiene un valor de pH ácido. Durante su uso, es más estable y no cambiará significativamente, manteniendo una tasa de pulido alta y estable. Este producto combina el pulido grueso y fino en un solo proceso, reduciendo en gran medida los costos de procesamiento y mejorando la eficiencia del procesamiento.

Technical specifications

Manufacturer / publisherGRISH / Beijing Grish Hitech
Brand / publisherGRISH
Content typeproducts
LanguageEspañol
CategoryCompounds & slurries
Updated2026-10-16
GRISH published content
Source: https://grish.com/es/product/high-efficiency-cmp-slurry/ · Original publication: 2025-01-21. Manufacturer claims and terminology are reproduced as source material.Explore Products & equipment ↗

Lodo CMP de alta eficiencia

El lodo de pulido CMP de alta eficiencia de GRlSH tiene un valor de pH ácido. Durante su uso, es más estable y no cambiará significativamente, manteniendo una tasa de pulido alta y estable. Este producto combina el pulido grueso y fino en un solo proceso, reduciendo en gran medida los costos de procesamiento y mejorando la eficiencia del procesamiento.
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Take a Closer Look

The acidic pH value is stable, maintaininga high and stable polishing rate.
Combines rough and fine polishing into a single process, greatly reducing process-ing costs and improving processingefficiency.

High efficiency CMP Slurry

Test data

image

Microscope Photo

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Semi-insulated 500X

image2

Conductive 500X

Test Conditions and Parameter Settings

High efficiency CMP Slurry
  • Polishing object: 6-inch SiC substrate*3 pcs*2 Head
  • Polishing pad: Suba 600
  • Polishing slurry: SC-O80K (Grish)
  • Pasting method: wax paste
  • Pressure: 120Kg (220g/cm²)
  • Speed: lower 66rpm, upper 60rpm
  • Circulation barrel: 10L
  • Chiller temperature: 20℃
  • Polishing time: 4H

Conclusion

The total time of traditional rough polishing and fine polishing is 6-9 hours, and high-efficiency CMP can be used for 2-3 hours to meet polishing requirements.
After polishing with high-efficiency CMP, the Ra values that can be achieved on the autobon and silicon surfaces of silicon autobide are: Si: 0.115nm C: 0.127nm.

Especificaciones

  • Especificaciones
    Parámetros Contenido Instrumento de Prueba
    Tamaño de Grano (nm) 70-90 Analizador de partículas láser
    Apariencia de Partículo Esférico SEM/TEM
    pH 3-4 Medidor de pH
    Viscosidad(cst) Viscometro
    Concentración (%) 5-10% Hidrómetro
    Paquete 25kg/5kg -
    Nota: Se pueden realizar personalizaciones bajo solicitud. - -

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