LED y Semiconductores
Grish proporciona productos de pulido para el pulido de LED y semiconductores. Ofrecemos tanto suspensiones de pulido húmedo como seco, así como formulaciones a base de aceite y agua.
NUESTRAS FUERZAS
Lo Que Grish Puede Hacer
Soluciones de Pulido Todo en Uno
GRISH no solo puede proporcionarle abrasivos de pulido ultra-finos, sino que también proporcionamos accesorios de pulido, como almohadillas de pulido, cera sólida y líquidos para descerar que pueden hacer que su cadena de suministro sea más fácil.
Equipo Profesional a Su Servicio
Nuestros expertos en materiales de semiconductores tienen más de 20 años de experiencia. Estamos honrados de ayudarle a obtener el acabado ideal que necesita.
Proceso Rentable
Con un área de más de 12,000m² de base de fábrica y equipos de fabricación confiables, puede estar seguro de la estabilidad y consistencia de nuestros productos.
¿Cómo Usar la Lechada Grish?
Aplicación de nuestra Lechada de Diamante Monocristalino en Materiales Semiconductores, como Sustratos de Carburo de Silicio y Materiales InP/GaAs.
LED y Semiconductores
Proceso de Pulido
Unión de Cera
Pulido
Descerado
Pulido CMP
Solución de Pulido de Material InP/GaAs
| Proceso de Pulido de Material InP/GaAs | Pasos | Producto Grish |
| Agujereado (15-30mins) | Lechada de Pulido AO + Placa de Cuarzo | |
| Pulido de Espalda (30-40mins) | Lechada CMP + Placa de Cuarzo |
GaAs e InP son materiales fundamentales para aplicaciones de Microelectrónica y Fotoelectrónica, InP como segunda generación de material semiconductor típico presenta alta eficiencia en conversión de luz y electrones, gran movilidad de electrones, alta temperatura de funcionamiento y mejor propiedad anti-radiación, ampliamente aplicado en comunicación óptica, MMW de alta frecuencia, batería solar para el espacio exterior, etc.
Las propiedades de alta frecuencia y alta velocidad de transmisión de la red 5G necesitarán un mejor rendimiento de trabajo para el módulo RF, en el cual el material InP jugará un papel crítico. El receptor de señal y el amplificador hechos de material InP son capaces de trabajar en frecuencias superiores a 1000GHz con un amplio ancho de banda y perfecta estabilidad de funcionamiento.
Por lo tanto, en la era del 5G, InP será un material principal para el módulo RF del dispositivo terminal y la estación base de transceptor, y el mercado está en auge.
Nuevo Proceso de Pulido Grish VS Proceso Tradicional
| Proceso de Pulido Tradicional de Sustrato de Carburo de Silicio | Pasos | Tiempo |
| Lijado Doble Cara (60mins) | ≤11.5h | |
| Lijado Preciso (60-90mins) | ||
| Pulido en Rugoso (30-60mins) | ||
| Pulido Ultrafino (240-480mins) |
Nuevo Proceso de Pulido de Sustrato de Carburo de Silicio de Grish | Pasos | Producto Grish | Tiempo |
| Lijado Doble Cara (30-60mins) | Lechada MD | ≤4h | |
| Pulido en Rugoso (30-60mins) | Lechada de Diamante Nano + Almohadilla de Pulido Rugoso | ||
| Pulido Ultrafino (120mins) | Lechada CMP + Almohadilla de Pulido Única |
| Proceso de Pulido de Material InP/GaAs | Pasos | Producto Grish |
| Agujereado (15-30mins) | Lechada de Pulido AO + Placa de Cuarzo | |
| Pulido de Espalda (30-40mins) | Lechada CMP + Placa de Cuarzo |
| Proceso de Pulido Tradicional de Sustrato de Carburo de Silicio | Pasos | Tiempo |
| Lijado Doble Cara (60mins) | ≤11.5h | |
| Lijado Preciso (60-90mins) | ||
| Pulido en Rugoso (30-60mins) | ||
| Pulido Ultrafino (240-480mins) |
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Nuevo Proceso de Pulido de Sustrato de Carburo de Silicio de Grish |
Pasos | Producto Grish | Tiempo |
| Lijado Doble Cara (30-60mins) | Lechada MD | ≤4h | |
| Pulido en Rugoso (30-60mins) | Lechada de Diamante Nano + Almohadilla de Pulido Rugoso | ||
| Pulido Ultrafino (120mins) | Lechada CMP + Almohadilla de Pulido Única |
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Solución de Pulido para Semiconductores