THE GLOBAL POLISHING & ABRASIVES DIRECTORY查看数据库覆盖情况 ↗
POLISHXEN
POLISHX/Slurry CMP ad alta efficienza
PRODUCT INFORMATION

Slurry CMP ad alta efficienza

Lo slurry di lucidatura CMP ad alta efficienza di GRlSH ha un valore di pH acido. Durante l'uso, è più stabile e non cambierà in modo significativo, mantenendo un elevato e stabile tasso di lucidatura. Questo prodotto combina lucidatura grossa e fine in un unico processo, riducendo notevolmente i costi di lavorazione e migliorando l'efficienza di lavorazione.

Technical specifications

Manufacturer / publisherGRISH / Beijing Grish Hitech
Brand / publisherGRISH
Content typeproducts
LanguageItaliano
CategoryCompounds & slurries
Updated2026-10-16
GRISH published content
Source: https://grish.com/it/product/high-efficiency-cmp-slurry/ · Original publication: 2025-01-21. Manufacturer claims and terminology are reproduced as source material.Explore Products & equipment ↗
Slurry Lucidante

Slurry CMP ad alta efficienza

Lo slurry di lucidatura CMP ad alta efficienza di GRlSH ha un valore di pH acido. Durante l'uso, è più stabile e non cambierà in modo significativo, mantenendo un elevato e stabile tasso di lucidatura. Questo prodotto combina lucidatura grossa e fine in un unico processo, riducendo notevolmente i costi di lavorazione e migliorando l'efficienza di lavorazione.
  • Logistica veloce e sicura

  • Ricevi campioni gratuiti

Take a Closer Look

The acidic pH value is stable, maintaininga high and stable polishing rate.
Combines rough and fine polishing into a single process, greatly reducing process-ing costs and improving processingefficiency.

High efficiency CMP Slurry

Test data

image

Microscope Photo

image

Semi-insulated 500X

image2

Conductive 500X

Test Conditions and Parameter Settings

High efficiency CMP Slurry
  • Polishing object: 6-inch SiC substrate*3 pcs*2 Head
  • Polishing pad: Suba 600
  • Polishing slurry: SC-O80K (Grish)
  • Pasting method: wax paste
  • Pressure: 120Kg (220g/cm²)
  • Speed: lower 66rpm, upper 60rpm
  • Circulation barrel: 10L
  • Chiller temperature: 20℃
  • Polishing time: 4H

Conclusion

The total time of traditional rough polishing and fine polishing is 6-9 hours, and high-efficiency CMP can be used for 2-3 hours to meet polishing requirements.
After polishing with high-efficiency CMP, the Ra values that can be achieved on the carbon and silicon surfaces of silicon carbide are: Si: 0.115nm C: 0.127nm.

Specifiche

  • Specifiche
    Parametri Contenuto Strumento di testing
    Dimensione delle particelle (nm) 70-90 Analizzatore di particelle laser
    Aspetto delle particelle Sferico SEM/TEM
    pH 3-4 Misuratore di pH
    Viscosità(cst) Viscometro
    Concentrazione (%) 5-10% Idrometro
    Imballaggio 25kg/5kg -
    Nota: Le personalizzazioni sono disponibili su richiesta. - -

Related products & technical information