LED & Semiconducteurs
Grish fournit des de polissage pour le polissage des LED et des semi-conducteurs. Nous offrons des suspensions de polissage humides et sèches, ainsi que des formulations à base d'huile et à base d'eau.
NOS POINTS FORTS
Ce que Grish peut faire
Solutions de polissage tout-en-un
GRISH peut non seulement vous fournir des abrasifs de polissage ultra-fins, mais nous fournissons également des accessoires de polissage, tels que des tampons de polissage, de la cire solide et un liquide de dé-cirage qui peut simplifier votre chaîne d'approvisionnement.
Équipe professionnelle à votre service
Nos experts en matériaux semi-conducteurs ont plus de 20 ans d'expérience. Nous sommes honorés de vous aider à obtenir la finition idéale dont vous avez besoin.
Processus rentable
Avec une base d'usine de plus de 12 000 m² et des équipes de fabrication fiables, vous pouvez être assuré de la stabilité et de la constance de nos .
Comment utiliser la boue Grish ?
Application de notre boue de diamant monocrystallin dans les matériaux semi-conducteurs, tels que le substrat en carbure de silicium et le matériau InP/GaAs.
LED & Semiconducteurs
Processus de polissage
Liaison de cire
Polissage
Dé-cirage
Polissage CMP
Solution de polissage pour le matériau InP/GaAs
| Processus de polissage pour le matériau InP/GaAs | Étapes | Produit Grish |
| Affinage (15-30mins) | Bouillie de polissage AO + Plaque en quartz | |
| Polissage arrière (30-40mins) | Bouillie CMP + Plaque en quartz |
Le GaAs et l'InP sont des matériaux fondamentaux pour les applications en microélectronique et en photoélectronique, l'InP, en tant que deuxième génération de matériaux semi-conducteurs typiques, présente une haute efficacité de conversion lumière-électron et une grande mobilité électronique, une haute température de fonctionnement et de meilleures propriétés anti-radiations, largement appliquées dans les communications optiques, les fréquences élevées MMW, les batteries solaires pour l'espace, etc.
La propriété des réseaux 5G de haute fréquence et de grande vitesse de transmission nécessitera de meilleures performances de travail pour le module RF, dans lequel le matériau InP jouera un rôle critique. Le récepteur de signal et l'amplificateur en InP peuvent fonctionner à des fréquences supérieures à 1000 GHz avec une large bande passante et une excellente stabilité de fonctionnement.
Ainsi, à l'ère 5G, l'InP sera un matériau majeur pour le module RF des appareils terminaux et des stations de base, et le marché est en pleine expansion.
Nouveau processus de polissage Grish VS processus traditionnel
| Processus de polissage traditionnel des substrats en carbure de silicium | Étapes | Temps |
| Lapping double face (60mins) | ≤11,5h | |
| Lapping précis (60-90mins) | ||
| Polissage grossier (30-60mins) | ||
| Polissage ultrafin (240-480mins) |
Nouveau processus de polissage des substrats en carbure de silicium Grish | Étapes | Produit Grish | Temps |
| Lapping double face (30-60mins) | Bouillie MD | ≤4h | |
| Polissage grossier (30-60mins) | Bouillie de diamant nanométrique + Tampon de polissage rugueux | ||
| Polissage ultrafin (120mins) | Bouillie CMP + Tampon de polissage unique |
| Processus de polissage pour le matériau InP/GaAs | Étapes | Produit Grish |
| Affinage (15-30mins) | Bouillie de polissage AO + Plaque en quartz | |
| Polissage arrière (30-40mins) | Bouillie CMP + Plaque en quartz |
| Processus de polissage traditionnel des substrats en carbure de silicium | Étapes | Temps |
| Lapping double face (60mins) | ≤11,5h | |
| Lapping précis (60-90mins) | ||
| Polissage grossier (30-60mins) | ||
| Polissage ultrafin (240-480mins) |
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Nouveau processus de polissage des substrats en carbure de silicium Grish |
Étapes | Produit Grish | Temps |
| Lapping double face (30-60mins) | Bouillie MD | ≤4h | |
| Polissage grossier (30-60mins) | Bouillie de diamant nanométrique + Tampon de polissage rugueux | ||
| Polissage ultrafin (120mins) | Bouillie CMP + Tampon de polissage unique |
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Solution de polissage pour les semi-conducteurs