LED e Semiconduttori
Grish fornisce prodotti di lucidatura per la lucidatura di LED e semiconduttori. Offriamo sia sospensioni per lucidatura a umido che a secco, così come formulazioni a base d'olio e a base d'acqua.
I NOSTRI PUNTI DI FORZA
Cosa Può Fare Grish
Soluzioni di Lucidatura Chiavi in Mano
GRISH non solo può fornirti abrasivi di lucidatura ultrafini, ma forniamo anche accessori per la lucidatura, come pad di lucidatura, cera solida e liquido di de-waxing che possono semplificare la tua catena di approvvigionamento.
Team Professionale al Tuo Servizio
I nostri esperti di materiali semiconduttori hanno più di 20 anni di esperienza. Siamo onorati di aiutarti a ottenere la finitura ideale di cui hai bisogno.
Processo Economico
Con un'area di oltre 12.000 m² di base produttiva e team di produzione affidabili, puoi essere certo della stabilità e della coerenza dei nostri prodotti.
Come Utilizzare il fango Grish?
Applicazione del nostro fango di diamante monocristallino nei materiali semiconduttori, come il substrato di carburo di silicio e InP/GaAs.
LED e Semiconduttori
Processo di Lucidatura
Legame di Cera
Lucidatura
De-waxing
Lucidatura CMP
Soluzione di Lucidatura Materiale InP/GaAs
| Processo di Lucidatura Materiale InP/GaAs | Fasi | Prodotto Grish |
| Assottigliamento (15-30mins) | Fango di Lucidatura AO + Piastra di Quarzo | |
| Lucidatura Posteriore (30-40mins) | Fango CMP + Piastra di Quarzo |
GaAs e InP sono materiali fondamentali per applicazioni Microelettroniche e Fotoelettroniche; InP, come seconda generazione di materiale semiconduttore tipico, presenta alta efficienza di conversione della luce e degli elettroni, grande mobilità degli elettroni, alta temperatura di esercizio e migliore proprietà anti-radiazione, ampiamente applicato nella comunicazione ottica, alte frequenze MMW, batterie solari per lo spazio esterno, ecc.
La proprietà alta frequenza e alta velocità di trasmissione della rete 5G richiederà migliori prestazioni operative per il modulo RF, in cui il materiale InP giocherà un ruolo critico. Il ricevitore di segnale e l'amplificatore realizzati con materiale InP sono in grado di lavorare sulla frequenza superiore a 1000GHz con larga banda e perfetta stabilità operativa.
Pertanto, nell'era del 5G, l'InP sarà un materiale principale per il modulo RF del dispositivo terminale e della stazione trasmittente base, e il mercato è in forte crescita.
Nuovo Processo di Lucidatura Grish vs Processo Tradizionale
| Processo di Lucidatura Tradizionale del Substrato di Carburo di Silicio | Fasi | Tempo |
| Lappatura Doppia Faccia (60mins) | ≤11.5h | |
| Lappatura Precisa (60-90mins) | ||
| Lucidatura Grezza (30-60mins) | ||
| Lucidatura Ultrafine (240-480mins) |
Nuovo Processo di Lucidatura del Substrato di Carburo di Silicio Grish | Fasi | Prodotto Grish | Tempo |
| Lappatura Doppia Faccia (30-60mins) | Fango MD | ≤4h | |
| Lucidatura Grezza (30-60mins) | Fango di Diamante Nano + Pad di Lucidatura Grezzo | ||
| Lucidatura Ultrafine (120mins) | Fango CMP + Pad di Lucidatura Unico |
| Processo di Lucidatura Materiale InP/GaAs | Fasi | Prodotto Grish |
| Assottigliamento (15-30mins) | Fango di Lucidatura AO + Piastra di Quarzo | |
| Lucidatura Posteriore (30-40mins) | Fango CMP + Piastra di Quarzo |
| Processo di Lucidatura Tradizionale del Substrato di Carburo di Silicio | Fasi | Tempo |
| Lappatura Doppia Faccia (60mins) | ≤11.5h | |
| Lappatura Precisa (60-90mins) | ||
| Lucidatura Grezza (30-60mins) | ||
| Lucidatura Ultrafine (240-480mins) |
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Nuovo Processo di Lucidatura del Substrato di Carburo di Silicio Grish |
Fasi | Prodotto Grish | Tempo |
| Lappatura Doppia Faccia (30-60mins) | Fango MD | ≤4h | |
| Lucidatura Grezza (30-60mins) | Fango di Diamante Nano + Pad di Lucidatura Grezzo | ||
| Lucidatura Ultrafine (120mins) | Fango CMP + Pad di Lucidatura Unico |
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